Упоредна анализа прекидачких губитака енергије у галијум–нитридном HEMT и силицијумском MOSFET транзистору

Sažetak

Предмет овог рада је међусобно поређење прекидачких губитака енергије у каскодном галијум-нитридном HEMT и силицијумском “superjunction” MOSFET транзистору, у оба случаја пројектованих за максимални радни напон од 650 V. За анализу прекидачких карактеристика транзистора употребљен је метод испитивања двоструким импулсом, коришћењем детаљних SPICE симулационих модела. Подаци о транзијентним процесима укључења и искључења генерисани су, коришћењем симулационог пакета LTspice, у широком опсегу струја дрејна, са две различите вредности отпорности гејта испитиваних транзистора. Добијени резултати указују на супериорне прекидачке карактеристике галијум-нитридних направа у односу на силицијумске компоненте, нарочито приликом рада транзистора са великим струјама дрејна. Током једног циклуса укључивања и искључивања транзистора, симулирани су укупни губици енергије у GaN HEMT, за струју дрејна од 30 А, пет до осам пута мањи него у Si MOSFET транзистору.